技术简介: 本发明公开了一种编码微球的制备方法,其特征在于包括步骤:在衬底上涂覆牺牲层;进而在其表面生长或沉积制备单层或多层复合的微球材料层;对微球材料层进行光阻涂布、光显影、刻蚀、清洗的半导…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了肖特基型核电池及其制备方法,通过一次MOCVD外延和一次HVPE外延的复合外延技术生长获得衬底-n型GaN掺杂层-绝缘GaN掺杂层结构的肖特基型器件材料结构,再使用半导体微加工工艺溅射生…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种真空原子力显微镜及其使用方法,属于微观形貌检测设备领域,其包括电子束发射装置、二次电子探测器、带悬臂梁的探针、压电陶瓷扫描器和反馈控制器。工作时,将电子束照射于探针…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种应用于太阳能聚光光伏系统中的菲涅耳聚光器及其实现方法,由一系列同心环带透镜构成,其特征在于:所述每一个环带透镜决定焦距位置的包括齿距、齿高、曲率、圆锥系数均为独立计…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种磁载药纳米粒子的制备方法,其特征步骤为:先将药物通过酰胺键化学偶联在磁性纳米粒子的表面,形成磁载药纳米粒子;再以硅源水解的方式在所述磁载药纳米粒子表面包覆二氧化硅壳…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种曲顶全反射式二次聚光及匀光集成装置,为实心玻璃的V棱镜梯形结构,它的曲顶面镀有增透膜,曲顶底面为光束的入射面,下底面为光束出射面,且曲顶底面的面积大于下底面的面积。…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种叠层亚波长减反结构,包括在需要减反的高折射率材料自身表面通过蚀刻形成的亚波长图形,以及在前述亚波长图形表面经沉积生长的介质层,二者共同构成该叠层亚波长结构,其结构图…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法,其特征在于:在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝,在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种用于金属离子检测的分子印迹聚合物,其印迹和洗脱对象均为金属络合物离子,聚合物的印迹几何尺寸、结合点位与金属络合物离子特异性吻合。在石英微天平和表面等离子共振装置的金…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种平顶全反射式二次聚光匀光集成装置,该集成装置的上底面正对光源,下底面与太阳能电池相对接,其特点是该集成装置为实心玻璃,该上底面与下底面一起均为光线折射面,该上底面…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种能够通过多种定制光源和探测器组合、用户选择光路部件、添加外围辅助设备可以实现傅里叶光谱、透射光谱、反射光谱和太赫兹电子器件光电特性等多种测试功能的太赫兹光电特性测试…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种利用石墨烯薄膜作为GaN基LED、紫外光探测器的透明导电电极及其制法与应用,该石墨烯薄膜固化结合于LED、紫外光探测器GaN基片表面。采用化学气相沉积或还原氧化法制备石墨烯透明…… 查看详细 >
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