[00334755]一种萘普生插层复合体的制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
新剂型及制剂
类型:
发明专利
技术成熟度:
通过小试
专利所属地:中国
专利号:CN201610131449.0
交易方式:
资料待完善
联系人:
北京石油化工学院
进入空间
所在地:北京北京市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要:本发明公开了一种萘普生插层复合体的制备方法,首先采用均匀沉淀法合成硝酸根型层状铕氢氧化物NO3‑LEuH作为前驱体;再通过离子交换反应将萘普生阴离子引入所述前驱体的LEuH层间,形成萘普生插层复合体NPX‑LEuH。利用上述制备方法得到复合体后层板Eu3+的荧光显著增强,同时将萘普生置于层间可以对其进行有效保护,控制其在体内的缓慢释放,提高萘普生的应用范围和效果。
摘要:本发明公开了一种萘普生插层复合体的制备方法,首先采用均匀沉淀法合成硝酸根型层状铕氢氧化物NO3‑LEuH作为前驱体;再通过离子交换反应将萘普生阴离子引入所述前驱体的LEuH层间,形成萘普生插层复合体NPX‑LEuH。利用上述制备方法得到复合体后层板Eu3+的荧光显著增强,同时将萘普生置于层间可以对其进行有效保护,控制其在体内的缓慢释放,提高萘普生的应用范围和效果。