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[00334755]一种萘普生插层复合体的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 新剂型及制剂

类型: 发明专利

技术成熟度: 通过小试

专利所属地:中国

专利号:CN201610131449.0

交易方式: 资料待完善

联系人: 北京石油化工学院

进入空间

所在地:北京北京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本发明公开了一种萘普生插层复合体的制备方法,首先采用均匀沉淀法合成硝酸根型层状铕氢氧化物NO3‑LEuH作为前驱体;再通过离子交换反应将萘普生阴离子引入所述前驱体的LEuH层间,形成萘普生插层复合体NPX‑LEuH。利用上述制备方法得到复合体后层板Eu3+的荧光显著增强,同时将萘普生置于层间可以对其进行有效保护,控制其在体内的缓慢释放,提高萘普生的应用范围和效果。
摘要:本发明公开了一种萘普生插层复合体的制备方法,首先采用均匀沉淀法合成硝酸根型层状铕氢氧化物NO3‑LEuH作为前驱体;再通过离子交换反应将萘普生阴离子引入所述前驱体的LEuH层间,形成萘普生插层复合体NPX‑LEuH。利用上述制备方法得到复合体后层板Eu3+的荧光显著增强,同时将萘普生置于层间可以对其进行有效保护,控制其在体内的缓慢释放,提高萘普生的应用范围和效果。

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