[00253450]掺杂钨酸铅晶体的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
合成化学
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200610117681.5
交易方式：
技术转让
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技术入股
联系人：
科小易
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所在地：福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种掺杂钨酸铅晶体的制备方法，包括如下步骤：(1)将纯度为99.99％的PbO、WO3和掺杂剂固态粉末在150℃－200℃干燥，然后，PbO和WO3按照化学计量比称量，掺杂剂的摩尔浓度为0.01％－0.1％，称量好的固体粉末在10KPa－50KPa压力下压制成致密块状固体，在750℃－1000℃氧化气氛中烧结，在密闭的充入氧气的铂金坩埚中1130℃－1200℃恒温半小时使之完全熔化；(2)将熔化后的原料引入到置有籽晶的生长坩埚内，形成致密多晶锭料，并把该生长坩埚置于温梯法晶体生长炉内接种、生长，得到成品；其中坩埚在生长炉内的引下速率为1.0mm/h。它不仅适用于掺杂易挥发的掺杂剂，同时也同样适用于掺杂没有挥发性的掺杂剂。
本发明公开了一种掺杂钨酸铅晶体的制备方法，包括如下步骤：(1)将纯度为99.99％的PbO、WO3和掺杂剂固态粉末在150℃－200℃干燥，然后，PbO和WO3按照化学计量比称量，掺杂剂的摩尔浓度为0.01％－0.1％，称量好的固体粉末在10KPa－50KPa压力下压制成致密块状固体，在750℃－1000℃氧化气氛中烧结，在密闭的充入氧气的铂金坩埚中1130℃－1200℃恒温半小时使之完全熔化；(2)将熔化后的原料引入到置有籽晶的生长坩埚内，形成致密多晶锭料，并把该生长坩埚置于温梯法晶体生长炉内接种、生长，得到成品；其中坩埚在生长炉内的引下速率为1.0mm/h。它不仅适用于掺杂易挥发的掺杂剂，同时也同样适用于掺杂没有挥发性的掺杂剂。
