技术详细介绍
一种实现宽带光隔离的一维磁光子晶体（专利号201310065842.0），其基本组元S0的结构式是：[H/L]2/M/[L/H]5/M/[H/L]2/M/[L/H]2/M/[H/L]5/M/[L/H]2；其中：H是硅，L是二氧化硅，M是掺铈钇铁石榴石；其第一复合结构S1=S0/M/S0；第二复合结构S2=S0/M/S0/M/S0。本发明复合结构减少了膜层总层数，降低了制备难度，提高光隔离器工作的稳定性。
一种实现宽带光隔离的一维磁光子晶体（专利号201310065842.0），其基本组元S0的结构式是：[H/L]2/M/[L/H]5/M/[H/L]2/M/[L/H]2/M/[H/L]5/M/[L/H]2；其中：H是硅，L是二氧化硅，M是掺铈钇铁石榴石；其第一复合结构S1=S0/M/S0；第二复合结构S2=S0/M/S0/M/S0。本发明复合结构减少了膜层总层数，降低了制备难度，提高光隔离器工作的稳定性。
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