[01355217]一种用于场发射显示器阴极的大面积碳纳米管薄膜制备方法
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面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
非专利
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技术详细介绍
本发明公开了一种用于场发射显示器的大面积碳纳米管薄膜阴极的制备方法,包括:衬底和碳纳米管的预处理、阴极导电图形的形成、涂敷粘结剂、碳纳米管气溶胶(或其他形式的分散相)的形成与喷射、碳纳米管在衬底的沉积、碳纳米管薄膜的干燥与烧结等。调节碳纳米管在分散相中的含量和沉积时间可以改变碳纳米管薄膜的沉积密度;改变静电场的分布可以改变薄膜的沉积形状;采用移动喷嘴系统或多喷嘴系统,可以制造超大屏幕碳纳米管场发射平板显示器的阴极。采用本发明所提供的制造方法具有操作简单、成本低廉、可以在开放环境下制造的优点,所制得的碳纳米管薄膜具有大面积均匀、排列良好、定域简单的优点,具有优良的场发射特性。
本发明公开了一种用于场发射显示器的大面积碳纳米管薄膜阴极的制备方法,包括:衬底和碳纳米管的预处理、阴极导电图形的形成、涂敷粘结剂、碳纳米管气溶胶(或其他形式的分散相)的形成与喷射、碳纳米管在衬底的沉积、碳纳米管薄膜的干燥与烧结等。调节碳纳米管在分散相中的含量和沉积时间可以改变碳纳米管薄膜的沉积密度;改变静电场的分布可以改变薄膜的沉积形状;采用移动喷嘴系统或多喷嘴系统,可以制造超大屏幕碳纳米管场发射平板显示器的阴极。采用本发明所提供的制造方法具有操作简单、成本低廉、可以在开放环境下制造的优点,所制得的碳纳米管薄膜具有大面积均匀、排列良好、定域简单的优点,具有优良的场发射特性。