技术简介： 一种具有结型场板的功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规LDMOS器件的衬底中形成与衬底掺杂类型相反的埋层，在器件漂移区表面形成由PN结构成的结型场板。本发明利用结型场板…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘介质层、绝缘槽栅、钝化层、源场板和保护层。势垒层上开有凹槽，绝缘…… 查看详细 >
技术简介： 具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合横向功率器件,属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上,二者采用共用阳极结构;…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种NiCr薄膜的干法刻蚀工艺,包括以下步骤：在带有氮化硅或氧化硅衬底的硅片上溅射沉积NiCr薄膜;光刻,形成所需要的图形;将步骤所得的硅片放入刻蚀设备,用氯基气体与六氟化硫的混合…… 查看详细 >
技术简介： 利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法.本发明公开了一种利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法，提供一种利用金刚石膜结构和能够起到去除集成电路晶片表面残留有机物、颗…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaNHEMT器件的实现方法,它涉及微电子技术领域。该实现方法成本低,工艺简单,重复性好,可靠性高,对材料损伤小,可以获得高阈值电压以及纳米级有效沟道长度的增强型HEM…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于导通型SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管结构及制作方法,主要解决GaAs基太赫兹耿氏器件输出功率极低的问题。该二极管包括SiC衬底层、AlN成核层和GaN外延层,其中SiC衬底层为n型…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法，主要改善现有同类器件金属互联中存在成本高的问题。其制作过程为：在已做好源、栅、漏电极的待加工器件上生长介质；在介质层上光…… 查看详细 >
技术简介： 本发明实施例公开了提供了一种制造气体敏感复合薄膜的方法,包括：将氧化物纳米结构材料分散于有机溶剂中,获得纳米结构材料分散液;将纳米结构材料分散液铺展于LB膜槽中形成氧化物纳米结构有序层;…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构，由如下三层结构组成：底层为衬底，中层为氧化物稀磁半导体薄膜，上层为铁电体薄膜。所述的衬底为SI、蓝宝石、SRRUO3或其它钙钛矿氧化物衬底…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种非均质功能器件快速成形微制造方法,采用下述方法步骤：根据制造非均质功能器件的要求,将不同的金属、合金材料或者非金属材料作为成形材料分别放入不同的液滴发生装置中,将低熔…… 查看详细 >
技术简介： 随着科学技术的日益更新,在人类迈向更高文明社会的同时,能源危机和环境污染已经涉及到工业、农业、商业、金融、科教文卫、国防和百姓生活的各个领域。此时,发展可再生能源改变人类的能源结构,如…… 查看详细 >
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