技术简介： 本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法。其实现步骤是：1)在清洗后的SOI晶圆顶层Si层上淀积SiO2层;2)对顶层Si层进行离子注入形成非晶化层,并去除非晶化层上的SiO2…… 查看详细 >
技术简介： 在车灯领域led大灯开始替代传统卤素灯和氙气灯，装载led大灯的车型已上市，但是对于车灯的关键零件的透镜，缘于其结构的厚壁设计，其制造技术仍属于制约车型量产瓶颈。激光车灯对比于LED车灯，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法，主要改善现有同类器件金属互联中存在成本高的问题。其制作过程为：在已做好源、栅、漏电极的待加工器件上生长介质；在介质层上光…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘介质层、绝缘槽栅、钝化层、源场板和保护层。势垒层上开有凹槽，绝缘…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种硅和钙钛矿的叠层太阳能电池结构以及其制备工艺方法，主要解决现太阳能电池转化效率低和能源消耗大的问题。该电池结构自下而上包括阴极（1）、N型硅片基体（2）、P型导电材料（…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种溶液方法制备的有机小分子空穴注入层。采用有机小分子空穴注入材料及其与其他有机功能材料的混合溶液，通过湿法成膜工艺制备厚度为10～200nm的有机薄膜。本发明还公开具这种溶液…… 查看详细 >
技术简介： 本成果得到崇左市科技局于科技攻关项目的支持，项目名称：酒红盖菇丰产栽培技术及生态服务功能研究。一种羊肚菌培养料温湿度检测装置，安装座其特征是：所述安装座的底端连接有锥形筒；所述锥形…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于碳化硅金属半导体场效应晶体管结构的β射线辐照探测器,主要解决现有β辐照探测器抗辐照性能不佳和能量转换效率低的问题。该探测器自下而上包括n型衬底（8）、p型缓冲层（7…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种ECR等离子体溅射装置用基板保持器,包括原基板（3）,与原基板（3）连接的固定轴（4）,依次轴向设置在固定轴（4）上的支撑板（5）和用于连接真空腔的固定法兰（2）,支撑板（5）和…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法,主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对SiC衬底进行预处理,并在SiC衬底上外延GaN重掺杂层或SiC：Ge过渡层;在GaN重掺杂层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种NiCr薄膜的干法刻蚀工艺,包括以下步骤：在带有氮化硅或氧化硅衬底的硅片上溅射沉积NiCr薄膜;光刻,形成所需要的图形;将步骤所得的硅片放入刻蚀设备,用氯基气体与六氟化硫的混合…… 查看详细 >
技术简介： 利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法.本发明公开了一种利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法，提供一种利用金刚石膜结构和能够起到去除集成电路晶片表面残留有机物、颗…… 查看详细 >
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