基于SiO2掩蔽技术的多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路制备方法
技术简介： 本发明公开了一种基于SiO2掩蔽技术的多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路制备方法。其过程为：制造出N/P阱,并在N/P阱上生长Poly-SiGe/SiO2/Poly-Si多层结构;将最上层的Poly-Si刻蚀成一个窗口,再淀积一…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法,它涉及微电子技术领域,主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用SSOI和SSGOI衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。其中,下层…… 查看详细 >
技术简介： 农作物秸秆具有资源和污染双重特性,如果得不到有效合理的处理利用,将会对环境造成污染。秸秆随意丢弃于田间地头,污染了环境,恶化农村生态环境,影响美丽乡村建设。秸秆田间焚烧会产生大量的浓烟,…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括：GaN外延层,n^+GaN集电极欧姆接触层,第一GaN隔离层,第一InAlN势垒层,GaN主量子阱层,第二InAlN势垒层,InGaN…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种恒流JFET器件及其制造方法。本发明的恒流JFET器件,其特征在于所述P+表面栅极区5和P+背面栅极区2的结深为不均匀的,从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种集成红外屏蔽结构的太赫兹波室温探测单元及其制备方法,用于太赫兹波段的高性能探测。所述探测器的顶层是金属网格结构图形,作为过滤和屏蔽红外波段的结构;第二层为复合薄膜微桥…… 查看详细 >
技术简介： 课题来源与背景：QD116多功能LED车灯在外观方面对市场现有产品有较大突破，外观新颖时尚，在灯具功能方面严格按照技术标准执行，采用了高亮度、高流明的LED发光元件，配合了透镜式的配光设计，…… 查看详细 >
技术简介： 在半导体异质结制备过程中,很难避免缺陷态的生成。为了提高异质结的性能,通常采用各种方法降低缺陷态的影响。但是在光致/电致发光谱中,缺陷态却具有重要的意义。如果可以通过调控制备条件,有效…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法,该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘栅极、钝化层、源场板、漏场板和保护层,所述的源场板与源极…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于超级结的碳化硅MOSFET器件制作方法,包括如下步骤：（1）在N+碳化硅衬底的正面上外延生长厚度为10μm、氮离子掺杂浓度为5×1015~1×1016cm3的N外延层,其外延生长温度为1600℃,压力100mbar,…… 查看详细 >
技术简介： 该电机系列保护器分３种型号：ＷＤＢ－Ｉ型电机保护器由电流采样电路得到电机的工作电流，然后经过逻辑分析、电流比较电路，控制电子开关，实现对电机的过流和断相保护；ＷＤＢ－Ⅱ型和ＷＤＢ－…… 查看详细 >
技术简介： 设备状态监测与故障诊断技术是一种了解和掌握设备在使用过程中的状态，确定其整体或局部是否异常，并早期发现故障及其原因，预报故障发展趋势，及时提出处理办法，以使设备受到最佳保护的技术，…… 查看详细 >
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