技术简介： 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件，所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n型氮化物层…… 查看详细 >
在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法
技术简介： 在β－Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β－Ga2O3衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法，包括以下步骤首先通过绘图软件设计所需的刻蚀图案，然后在清洗过后的硅表面均匀涂覆一层紫外光刻胶，经过紫外曝光，通过显影液显影将绘图软…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种基于石墨烯碳纳米管复合吸收层的红外光探测晶体管。该晶体管包括自下而上依次设置的栅极金属层、衬底、栅极介质层、石墨烯/碳纳米管复合吸收层；所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种用于氮离子太赫兹特征谱线探测的滤波器谐振单元，由半绝缘砷化镓(SI‑GaAs)衬底和衬底上的金属层构成，半绝缘砷化镓(SI‑GaAs)衬底的厚度为0.63mm，金属层由依次形成在衬底上的5nm厚…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种石墨碳/QDs/Si复合异质结晶硅片的制备方法，其首先采用溶胶法将半导体氧化物量子点吸附在石墨纳米晶表面，然后将其作为晶种生长液，在晶硅片上生长沉积。该方法中半导体…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明一种基于SiC衬底片深刻蚀光滑表面的加工工艺，涉及宽禁带半导体材料深刻蚀技术领域。其包括对衬底进行清洗；光刻图形转移技术在SiC衬底片上进行图形化；超高真空磁控溅射种子层Ni/C…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于太阳能发电的行驶中的电动汽车无线充电系统，用于为行驶中的电动汽车充电，包括无线充电发射端、无线充电接收端、薄膜太阳能电池、第二DC/DC变换器及第一DC/DC变换器，…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种带锁频的LCL型三相并网逆变器双环控制方法，该方法主要在传统的网侧电流外环和电容电流内环的双闭环控制的基础上，应用基于降阶谐振调节器的同步锁频环技术获取电网电压的…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于多目标调度模型的并网运行方式下微网能量控制方法，所述的微网包括多个微源和负荷，所述的方法具体包括以下步骤：1)处理器获取微网中各微源和联络线的信息，以发电成本…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于混合型模块化多电平换流器的低频模型预测控制方法，每一桥臂配置N个子模块与1个全桥模块，子模块指半桥型模块，全桥模块电容电压取为子模块的一半，低频模型预测控制方…… 查看详细 >
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