技术简介： 摘要：本发明涉及一种硫掺杂石墨烯及石墨烯衍生物的方法，包括：(1)将石墨烯及其衍生物的溶液与含硫离子团溶液混合均匀，得到悬浮液；(2)将步骤(1)的悬浮液冷冻干燥，得到石墨烯及其衍生物与含…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于钛白工业、湿法冶金工业和无机化工领域，特别涉及一种稀硫酸浓缩的工艺方法。本发明是利用工业生产过程中产生的低品位的余热，采用乙酸丁酯、环己烷、苯等有机物作为共沸剂，使…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种均相多元多孔氧化物材料、制备方法及其用途。所述方法包括如下步骤：将金属有机配体配制成溶液，任选地加入去质子化剂，然后加入至少两种金属的混合盐，常温下搅拌反应一段…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种多壳层金属氧化物空心球及其制备方法。利用水热法制备碳球模板；将金属盐溶于碳球悬浮液中，通过调变金属盐浓度，溶液pH值、浸泡温度与时间等吸附条件，控制金属盐进入碳…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种纳米级环己烯水合制备环己醇催化剂的合成方法，通过微波法合成载体ZSM‑5，通过浸渍法将活性组分锆负载于ZSM‑5，将合成的负载型催化剂应用于环己烯水合反应中，具有与工业…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及苯三酸镉钙异金属配合物的合成及应用。采用溶剂热的方法，反应物Cd(NO3)2·4H2O，Ca(NO3)2·4H2O，1，3，5-苯三甲酸的摩尔比为1∶1∶1，采用DMF(N，N’-二甲基甲酰胺)和水的混合…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及红外非线性光学单晶体硒铟铋钡及其合成及应用。硒铟铋钡，分子式：Ba2InBiSe5，分子量为993.26，属正交晶系，空间群Cmc21，单胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4。采用封闭真空石英…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种新型铁电晶体材料铌铁酸铅-铌镱酸铅-钛酸铅及其制备方法和用途。该晶体材料属钙钛矿型结构，存在MPB区，其化学式为(1-x-y)Pb(Fe1/2Nb1/2)O3-xPb(Yb1/2Nb1/2)O3-yPbTiO3，…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本申请公开了一种晶体材料，其特征在于，化学式为CaNdxEryLa(1‑x‑y)Ga3O7；其中，0.01≤x≤0.05，0.1≤y≤0.3；所述晶体材料属于四方晶系，空间群；所述晶体材料由GaO4四面体形成层状电…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种掺铬硼酸铝钪镧可调谐激光晶体及其制备方法。晶体分子式为Cr3+:LaSc3-xAlx(BO3)4，其中x的取值范围为：0.5～1.5，Cr3+的掺杂浓度为：0.2-5mol.%，可采用提拉法和顶部籽晶…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种掺镱硼酸镧镁（Yb3+:LaMgB5O10）激光晶体及其生长方法。该晶体属于单斜晶系，P21/c空间群，晶胞参数：β=131.52°,Z=4，Dc=3.92g/cm3。该晶体可采用助熔剂法生长，以Li2O-B2…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供一种共掺Nd3+敏化离子的Er3+激活的镓酸钆锶晶体中红外波段超快激光晶体材料，化学式为Nd3+,Er3+:SrGdGa3O7，其中Er3+的掺杂浓度30～50at％，Nd3+的掺杂浓度5～10at％。该晶体中…… 查看详细 >
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