技术简介： 摘要：本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管，包括超晶格势垒层，所述超晶格势垒层为多个周期的薄膜层交替重叠组成，所述薄膜层由锡化物和另一掺杂的锡化物组成。通过利用新型锡的化合…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种具有可调谐功能的平面纳米振荡器，包括绝缘衬底层、二维半导体导电层、绝缘保护层、穿透所述二维半导体导电层的绝缘刻槽、输入电极、输出电极和覆盖于所述绝缘保护层之上的…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种量子点发光二极管的电荷注入、传输及复合方法，通过对QD‑LED的电子/空穴注入、传输及复合的过程进行理论研究，并结合对用于验证的一系列不同结构QD‑LED芯片的试验研究，…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种含锑的有机无机钙钛矿量子点电致发光二极管的制备方法，采用结合热注入法成晶效果好，再沉淀方法简单和阴离子快速交换的方法等特点来制备可见光范围内的七种颜色量子点。通过改变反应…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种含铜的有机无机钙钛矿量子点太阳能电池的制备方法，采用结合热注入法成晶效果好，再沉淀方法简单和阴离子快速交换的方法等特点来制备可见光范围内的七种颜色量子点。通过改变反应物配…… 查看详细 >
一种水/醇溶性嵌段共轭聚合物作为阴极缓冲层的有机光伏电池制作方法
技术简介： 摘要：本发明提供一种水/醇溶性嵌段共轭聚合物作为阴极缓冲层的有机光伏电池制作方法；将带有亲水基团的水/醇溶性嵌段共轭聚合物与氧化锌双层阴极应用于有机聚合物太阳能电池器件的阴极缓冲层，…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明是新型低成本铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备新工艺。使用不同组成的CIGS靶材进行连续溅射制备出CIGS太阳电池吸收层，通过溅射(In,Ga)Se或(In,Ga)2Se3靶材和多元共蒸发In、Se金属，调…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种基于VOx选通管的相变存储单元，包括下电极层、VOx选通层、相变功能层和上电极层。本发明采用了VOx来实现相变功能层的选通，可以在相变功能层选通的基础上实现数据的存储…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种三维量子阱结构光电裸芯片，属于一种量子阱结构光电裸芯片，解决现有三维量子阱结构光电裸芯片工作面积有限、工艺复杂、成本高的问题。本实用新型自下而上包括：衬底层、缓冲层、n型…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种二硫化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种磷光染料掺杂的有机太阳能电池，其结构依次包括阳极、空穴传输层、给体层、受体层和阴极，其特征在于：受体层为C70材料，给体层为磷光染料掺杂的高分子聚合物材料。本发…… 查看详细 >
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