技术简介： 本发明公开了一种微波频段无介电弥散的铁电单晶材料的处理方法，通过变温逐步极化工艺方法去除掉铁电单晶中的畴壁，使单晶由多畴态往单畴态转变，同时降低由于移动畴壁弛豫而导致的介电弥散，最…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种压电晶体原料及其制备方法，属于晶体生长技术领域。技术方案为采用分步法制备出InNbO4(IN)粉料和MgNb2O6(MN)粉料，再按照Pb(In1/2Nb1/2)O3‑Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PIMNT)的…… 查看详细 >
技术简介：
本发明公开了一种铁酸铋‑钛酸铅压电单晶及其制备方法，根据化学组成(1‑x)BiFeO3‑xPbTiO3，其中0.3
技术简介： 本发明公开了一种通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，主要涉及输送反应物并在其内部进行化学吸热反应的反应装置。该反应装置由石墨筒和反应筒组成。反应筒采用惰性材料制成。反…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种三维光子晶体制造的新工艺方法，在计算机中设计具有微波特性的三维光子晶体模型；构建此模型的负型，并依据此光子晶体模型设计浇注系统，导出浇注系统模型为STL格式，利用光固化…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种锂离子电池负极材料的制备方法，通过将锌离子和钴离子的金属盐溶解在水中，然后再加入一定量的含有8‑羟基喹啉的极性溶剂，混合搅拌之后，室温静置，离心，干燥即可得到…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种批量制造溴化亚铜粉体材料的方法。该方法溴化铜和铜粉混合均匀后浸没在醚类物质中发生自发反应。该方法必须保证在反应过程中醚类物质始终能浸没溴化铜、铜粉以及生成的溴化…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种纯氧化物预烧结法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，包括纯氧化物预烧结法制备先驱粉、制备先驱块、压制支撑块、坯体的装配、单畴钇钡铜氧超导块材的生长、渗氧六个步骤；通…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种可抑制裂纹产生的单畴钐钡铜氧块材的制备方法，其采用顶部籽晶熔渗生长法，通过在液相块与固相块之间增加BaCuO2粉压制成的薄片，大大降低了在钐钡铜氧超导块生长阶段液相块…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种氢化提高金属氧化物传感性能的通用方法，该方法是在不改变金属氧化物传感材料的晶体结构和微观形貌的情况下，将NiO、CuO、Fe2O3、SnO2、ZnO、TiO2等金属氧化物传感材料在…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种制备导热复合材料的方法，它以结晶型聚合物和导热填料为原料，按重量份配比为50～80：50～20配料；在加工过程中，聚合物熔体流经强剪切流场，填料在聚合物基体中的分散状态得到…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种热塑性树脂物理发泡材料的制备装置及其制备方法。其特点是该装置由热压机(1)、高压容器(2)和气体增压系统(10)组成，高压容器放在热压机上下压板之间，高压容器一端设有气体进气…… 查看详细 >
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